電子束晶圓檢測，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術的應用，其使用高能電子與晶圓表面的物質發(fā)生相互作用時所激發(fā)出的信息進行成像，然后再通過圖像處理和運算來實現對晶圓缺陷、關鍵尺寸等進行檢測的目的。
電子束檢測以聚焦電子束作為檢測源，入射電子束激發(fā)出二次電子，然后通過對二次電子的收集和分析捕捉到缺陷或者關鍵尺寸。主要用于半導體元件的缺陷(Defects)、關鍵尺寸(Critical Dimension)等檢驗，以電性缺陷(Electrical defects)為主，形狀缺陷(Physical defects)次之。此外，由于檢測源為電子束，檢測結果不受某些表面物理性質例如顏色異常、厚度變化或前層缺陷的影響，因此電子束檢測還可用于檢測很小的表面缺陷例如柵極刻蝕殘留物等。
電子束晶圓檢測系統由電子槍、電磁透鏡、收斂透鏡、物鏡、導向器、探測器、后端成像系統以及真空系統、高真空精密運動系統等部件組成，系統結構如下圖所示：
電子束檢測系統示意圖（圖片來源自網絡）
以下重要指標用以衡量電子束晶圓檢測系統的表現：
電子束晶圓檢測系統中真空運動系統示意圖（圖片來源自網絡）
隱冠半導體基于多年的真空產品和高端運動系統的開發(fā)經驗，針對電子束晶圓檢測設備開發(fā)的高真空XY臺已實現批量化生產，已給國內多家相關企業(yè)批量供貨，且在國內頭部Fab廠穩(wěn)定運行，其位置穩(wěn)定性可達±2nm，速度均勻性<0.1%（速度為100mm/s）?？蓮V泛應用于電子束缺陷檢測（E-beam Defects inspection）、電子束關鍵尺寸檢測（CD-SEM）、電子束缺陷復查（Review-SEM）等。高真空靜電吸盤也已完成研發(fā)并實現批量化生產，給國內多家客戶供貨，且在國內頭部Fab廠穩(wěn)定運行。
隱冠除了可以提供高精度真空運動系統之外，針對相關核心零部件做了大量國產化工作，包括且不限于真空雙頻激光干涉儀、真空壓電電機、靜電吸盤控制器、高真空運動線纜等。
