晶圓劃片機是半導體后道封測中晶圓切割和WLP切割環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備。在一個晶圓上，通常有幾百個至數(shù)千個芯片連在一起。它們之間留有80μm至150μm的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)（Saw Street）。將每一個具有獨立電氣性能的芯片分離出來的過程叫做劃片或切割（Dicing Saw）。半導體晶圓劃片機是將含有很多芯片的晶圓分割成晶片顆粒，為下道粘片工序做好準備，其切割的質(zhì)量與效率直接影響到芯片的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。
劃片機國產(chǎn)化率較低，亟待提升。根據(jù)公告，全球半導體劃片機每年有120億的市場規(guī)模，中國市場占25%。整個半導體劃片機市場被日本DISCO壟斷，國內(nèi)廠家市場份額不到5%。隨著日本半導體設(shè)備的禁運，國內(nèi)設(shè)備的市場空間和機會逐漸釋放。
在異構(gòu)集成設(shè)計中，制造小芯片需要更多切割，使得劃片機的用量和精度提升。根據(jù)QYR（恒州博智）的統(tǒng)計及預測，2023年全球劃片機市場銷售額達到17.25億美元，預計2030年將達到25.16億美元，2024-2030年CAGR為5.4%。
晶圓劃片主要有刀輪切割和激光切割兩種，刀片切割是使用最廣泛的切割工藝，占市場份額的80%,用在較厚的晶圓（>100μm）切割，具備效率高、成本低、使用壽命長。激光切割屬于非接觸式加工，市場占比約20%，主要適用于切割較薄的晶圓（<100μm），具有高精度、高效率，且可避免對晶體硅表面造成損傷（厚度不到30μm的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快）。Chiplet技術(shù)切割芯粒最重要的設(shè)備就是激光劃片機。
（刀片切割原理圖）
由于劃片的對象是成本昂貴的晶圓，劃片設(shè)備必須具有高精度和高可靠性。先進3D疊層封裝要求晶圓及芯片的厚度越來越薄,甚至到了50μm以下。超薄晶圓對機械應(yīng)力和熱應(yīng)力非常敏感,要求劃片過程應(yīng)力越小越好。
（圖片來源于網(wǎng)絡(luò)）
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